安世半导体推出D2PAK-7封装的汽车级1200V碳化硅MOSFET

Discrete device designer and manufacturer Nexperia of Nijmegen, the Netherlands (which operates wafer fabs in Hamburg, Germany, and Hazel Grove Manchester, UK) has announced a range of highly efficient and robust automotive-qualified silicon carbide (SiC) MOSFETs with on-resistance (RDS(on)) values of 30mΩ, 40mΩ and 60mΩ.位于荷兰奈梅亨的分立器件设计商与制造商安世半导体（Nexperia）（该公司在德国汉堡以及英国曼彻斯特黑兹尔格罗夫设有晶圆厂）宣布推出一系列高效且耐用的汽车级碳化硅（SiC）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），其导通电阻（RDS(on)）值分别为30毫欧、40毫欧和60毫欧。

Delivering what is claimed to be industry-leading figures-of-merit (FoM), the devices (NSF030120D7A0-Q, NSF040120D7A1-Q, NSF060120D7A0-Q) were previously offered in industrial grade and have now been awarded AEC-Q101 certification. This makes them suitable for automotive applications like on-board chargers (OBC) and traction inverters in electric vehicles (EV) as well as for DC–DC converters, and heating ventilation & air-conditioning systems (HVAC). The switches are housed in the increasingly popular surface-mounted D2PAK-7 package, which is more suitable for automated assembly operations than through-hole devices.这些器件（NSF030120D7A0-Q、NSF040120D7A1-Q、NSF060120D7A0-Q）据称具有行业领先的品质因数（FoM），此前提供工业级产品，现已获得AEC-Q101认证。这使得它们适用于汽车应用，如电动汽车（EV）中的车载充电器（OBC）和牵引逆变器，以及DC – DC转换器和加热通风与空调系统（HVAC）。这些开关采用越来越受欢迎的表面贴装D2PAK – 7封装，与通孔器件相比，这种封装更适合自动化装配操作。

RDS(on) is a critical performance parameter for SiC MOSFETs as it impacts conduction losses. However, concentrating on the nominal value neglects the fact that it can increase by more than 100% as device operating temperatures rise, resulting in a considerable rise in conduction losses. The temperature stability is even more critical when SMD package technologies are used compared with through-hole technology, since devices are cooled through the PCB. Nexperia identified this as a limiting factor in the performance of many currently available SiC devices and leveraged the features of its innovative process technology to ensure that its new SiC MOSFETs offer industry-leading temperature stability, with the nominal value of RDS(on) increasing by only 38% over an operating temperature range from 25°C to 175°C. This feature enables customers to address higher output power in their applications, achieved with a higher nominal 25°C-rated RDS(on) from Nexperia compared with other vendors, without sacrificing performance.RDS（导通）是碳化硅（SiC）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的一个关键性能参数，因为它会影响传导损耗。然而，只关注标称值会忽略一个事实，即随着器件工作温度上升，RDS（导通）可能会增加100%以上，从而导致传导损耗大幅上升。与通孔技术相比，使用表面贴装器件（SMD）封装技术时，温度稳定性更为关键，因为器件是通过印刷电路板（PCB）进行散热的。安世半导体（Nexperia）认识到这是当前许多可用碳化硅器件性能的一个限制因素，并利用其创新工艺技术的特性，确保其新型碳化硅MOSFET具备行业领先的温度稳定性，在25°C至175°C的工作温度范围内，RDS（导通）的标称值仅增加38%。这一特性使客户能够在其应用中实现更高的输出功率，与其他供应商相比，安世半导体在25°C额定条件下具有更高的RDS（导通）标称值，同时又不牺牲性能。

“This feature allows to get more power out of the selected Nexperia SiC MOSFET devices compared to similarly rated RDS(on) devices from other vendors, delivering a clear cost advantage for customers on semiconductor level,” says says Edoardo Merli, senior VP & head of business group Wide Bandgap, IGBT & Modules (WIM). “Additionally, relaxed cooling requirements, more compact passive components, and higher achievable efficiency allow customers more degrees of freedom in their design and lower total cost of ownership,” he adds. “These products are now available for the automotive market, where their performance and efficiency benefits can make a real difference in next-generation vehicle designs.”意法半导体宽带隙、IGBT及模块业务集团高级副总裁兼负责人爱德华多·梅利（Edoardo Merli）表示：“与其他供应商额定导通电阻（RDS(on)）相似的产品相比，该特性使安世半导体碳化硅功率MOSFET器件能够输出更大功率，为客户带来显著的半导体级成本优势。”他补充道：“此外，该器件的散热要求较低，所需的无源元件更紧凑，可实现的效率更高，使客户在设计方面拥有更大的自由度，并降低总体拥有成本。这些产品现已面向汽车市场供货，其性能和效率优势将为下一代汽车设计带来真正的改变。”

Nexperia is planning to release automotive-qualified versions of its 17mΩ and 80mΩ RDS(on) SiC MOSFETs in 2025.安世半导体（Nexperia）计划于2025年推出其导通电阻为17毫欧和80毫欧的汽车级碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）。

一、公司与产品概述

荷兰奈梅亨的分立器件设计制造商安世半导体（Nexperia），在德国汉堡和英国曼彻斯特黑兹尔格罗夫设有晶圆厂，宣布推出一系列汽车认证的 1200V 碳化硅（SiC）MOSFET，包含 30mΩ、40mΩ 和 60mΩ 三种导通电阻（RDS (on)）值的型号，分别为 NSF030120D7A0-Q、NSF040120D7A1-Q、NSF060120D7A0-Q。

二、产品关键信息

三、技术优势

• 温度稳定性突出：RDS (on) 是 SiC MOSFET 关键性能参数，其值随温度上升而增加，会导致传导损耗上升。安世半导体该系列器件利用创新工艺技术，在 25°C 至 175°C 工作温度范围内，RDS (on) 标称值仅增加 38%，而许多现有 SiC 器件该值可能增加超 100%，这一特性使客户能在应用中实现更高输出功率，且与其他供应商相比，在 25°C 额定 RDS (on) 更高的情况下不牺牲性能。
• 带来多重优势：相比其他供应商相同额定 RDS (on) 的器件，能让客户从所选安世半导体 SiC MOSFET 器件中获得更多功率，在半导体层面为客户带来明显成本优势，同时放宽冷却要求、使用更紧凑无源元件、实现更高效率，让客户在设计中有更多自由度并降低总体拥有成本。

四、未来产品规划

安世半导体计划在 2025 年发布 17mΩ 和 80mΩ RDS (on) 的汽车认证版本 SiC MOSFET。

关键问题

1. 安世半导体新推出的汽车认证 SiC MOSFET 有哪些导通电阻值？
   • 答案：安世半导体新推出的汽车认证 SiC MOSFET 的导通电阻（RDS (on)）值有 30mΩ、40mΩ 和 60mΩ。
2. D2PAK-7 封装相比通孔器件有何优势？
   • 答案：D2PAK-7 封装是表面安装封装，比通孔器件更适合自动化组装操作。
3. 安世半导体该系列 SiC MOSFET 在温度稳定性上有何表现？
   • 答案：在 25°C 至 175°C 工作温度范围内，其 RDS (on) 标称值仅增加 38%，而许多现有 SiC 器件该值可能增加超 100%，温度稳定性具有行业领先优势。