深入探究:芯片的制造工艺全解
362文章主要介绍了芯片的制造过程,包括晶圆制备、光刻、蚀刻、沉积和封装测试等工艺流程。光刻是芯片制造中最重要的工艺之一,光刻机是其核心设备,市场上的光刻机主要有五代迭代更新,目前主流产品基本来自ASML、Nikon和Canon。蚀刻分为“湿法”和“干法”,沉积用于填充蚀刻后形成的坑洞。芯片制造完成后需进行封装和测试。最后展示了华为麒麟9000S芯片。
查看全文红外发光二极管在我们的日常生活中被广泛应用,那么你是否知道如何判断红外发光二极管的好坏呢?那让我们来看看判断红外发光二极管的好坏的一些方法!
红外发光二极管
方法一:
第一步判别红外发光二极管的引脚极性正、负电极。红外线发光二极管有两个引脚,通常长引脚为正极,短引脚为负极。因红外线发光二极管呈透明状,所以管壳内的电极清晰可见,内部电极较宽较大的一个为负极,而较窄且小的一个为正极。
第二步将万用表置于R×1k挡,测量红外发光二极管的正、反向电阻,通常,正向电阻应在30k左右,反向电阻要在500k以上,这样的管子才可正常使用。要求反向电阻越大越好。
红外发光二极管的测试,不同于普通发光二极管,如果测量时使用的电压较高,就会击穿它,造成器件内部短路。对于某些红外发光二极管,不能使用数字万用表测短路的档位直接测量,只能用指针表的X1K档测量。正确的测量,才能显示出正常的结果。
方法二:测试红外发光二极管的好坏,可以按照测试普通硅二极管正反向电阻的方法测试。
把万用表拨在R×100或R×1K挡,黑表笔接红外发光二极管正极,红表笔接负极,测得正向电阻应在20≈40K;黑表笔接红外发光二极管负极,红表笔接正极,测得反向电阻应大于500K以上.
方法三:万用表检测红外发光二极管
红外发光二极管的正向压降一般为1.3~2.5V,可用指针式万用表R×10k档测量红外发光管的正、反向电阻。
正常时,正向电阻值约为15~40kΩ(此值越小越好);反向电阻大于500kΩ。若测得正、反向电阻值均接近零,则说明该红外发光二极管内部已击穿损坏。若测得正、反向电阻值均为无穷大,则说明该二极管已开路损坏。若测得的反向电阻值远远小于500kΩ,则说明该二极管已漏电损坏。
由于红外发光二极管所发射的红外光人眼看不到。除了用上述方法判断PN结好坏,最好准备一只光敏器件(如2CR、2DR型硅光电池)作接收器,用万用表测光电池两端电压的变化情况。来判断红外发光二极管加上适当正向电流后是否发射红外光。
文章主要介绍了芯片的制造过程,包括晶圆制备、光刻、蚀刻、沉积和封装测试等工艺流程。光刻是芯片制造中最重要的工艺之一,光刻机是其核心设备,市场上的光刻机主要有五代迭代更新,目前主流产品基本来自ASML、Nikon和Canon。蚀刻分为“湿法”和“干法”,沉积用于填充蚀刻后形成的坑洞。芯片制造完成后需进行封装和测试。最后展示了华为麒麟9000S芯片。
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